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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF2324M8LS200PU

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF2324M8LS200PU

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF2324M8LS200PU
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF2324M8LS200PU

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF2324M8LS200PU

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF2324M8LS200PU

descrizione
Numero del pezzo: BLF2324M8LS200PU Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLF2324M8LS200PU

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 2.3GHz ~ 2.4GHz
Guadagno 17.2dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.74A
Uscita elettrica 60W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT539B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT539B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF2324M8LS200PU

Rilevazione

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