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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G09LS-400PGWQ

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G09LS-400PGWQ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G09LS-400PGWQ
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G09LS-400PGWQ

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G09LS-400PGWQ

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G09LS-400PGWQ

descrizione
Numero del pezzo: BLF8G09LS-400PGWQ Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLF8G09LS-400PGWQ

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 718.5MHz ~ 725.5MHz
Guadagno 20.6dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 3.4A
Uscita elettrica 95W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1242C
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM8
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF8G09LS-400PGWQ

Rilevazione

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