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Chip 75V 170A del Mosfet del transistor di effetto di campo di potere di IRFS3207Z per protezione di circuito

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Specificità
Modello del prodotto:
IRFS3207ZTRRPBF
Pacchetto del fornitore:
TO-263-3
Descrizione sommaria:
N-Channel75V 170A
Categoria di prodotto:
FET - Singolo
Campi di applicazione:
Chip di protezione di circuito
Data di fabbricazione:
Entro un anno
Evidenziare:

Transistor di effetto di campo di potere

,

Transistor di effetto di campo 170A

,

Chip 75V del Mosfet

Introduzione

Transistor di effetto del giacimento del Mosfet di potere di IRFS3207Z Chip Circuit Protection 75V 170A

Descrizione
  • Singolo MOSFET di potere di N-Manica HEXFET di potere MOSFT 75V 170A 4.1mOhm in un pacchetto di D2-Pak
Specifiche
Attributo di prodotto Valore di attributo
Infineon
Categoria di prodotto: MOSFET
RoHS: Dettagli
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Manica
1 Manica
75 V
170 A
4,1 mOhms
- 20 V, + 20 V
4 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Potenziamento
Bobina
Tagli il nastro
MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Configurazione: Singolo
Tempo di caduta: 68 NS
Transconduttanza di andata - min: 280 S
Altezza: 4,4 millimetri
Lunghezza: 10 millimetri
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di aumento: 68 NS
800
Sottocategoria: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 N-Manica
Larghezza: 9,25 millimetri
Parte # pseudonimi: IRFS3207ZTRRPBF SP001565050
Peso specifico: 0,139332 once
Applicazione
  • Rettifica sincrona di alta efficienza in SMPS
  • Gruppo di continuità
  • Commutazione di potenza ad alta velocità
  • Circuiti duro commutati ed ad alta frequenza
Benefici
  •  Portone migliore, valanga ed irregolarità dinamica di dv/dt
  •  Capacità completamente caratterizzata e valanga SOA
  •  Diodo migliorato dV/dt del corpo e capacità di dI/dt
  •  Senza piombo
  •  RoHS compiacente, senza alogeno
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Chip Diagram

Chip 75V 170A del Mosfet del transistor di effetto di campo di potere di IRFS3207Z per protezione di circuitoChip 75V 170A del Mosfet del transistor di effetto di campo di potere di IRFS3207Z per protezione di circuito

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