Chip 75V 170A del Mosfet del transistor di effetto di campo di potere di IRFS3207Z per protezione di circuito
Specificità
Modello del prodotto:
IRFS3207ZTRRPBF
Pacchetto del fornitore:
TO-263-3
Descrizione sommaria:
N-Channel75V 170A
Categoria di prodotto:
FET - Singolo
Campi di applicazione:
Chip di protezione di circuito
Data di fabbricazione:
Entro un anno
Evidenziare:
Transistor di effetto di campo di potere
,Transistor di effetto di campo 170A
,Chip 75V del Mosfet
Introduzione
Transistor di effetto del giacimento del Mosfet di potere di IRFS3207Z Chip Circuit Protection 75V 170A
Descrizione
- Singolo MOSFET di potere di N-Manica HEXFET di potere MOSFT 75V 170A 4.1mOhm in un pacchetto di D2-Pak
Specifiche
Attributo di prodotto | Valore di attributo |
---|---|
Infineon | |
Categoria di prodotto: | MOSFET |
RoHS: | Dettagli |
Si | |
SMD/SMT | |
TO-263-3 | |
N-Manica | |
1 Manica | |
75 V | |
170 A | |
4,1 mOhms | |
- 20 V, + 20 V | |
4 V | |
170 nC | |
- 55 C | |
+ 175 C | |
300 W | |
Potenziamento | |
Bobina | |
Tagli il nastro | |
MouseReel | |
Marca: | Infineon Technologies |
Configurazione: | Singolo |
Tempo di caduta: | 68 NS |
Transconduttanza di andata - min: | 280 S |
Altezza: | 4,4 millimetri |
Lunghezza: | 10 millimetri |
Tipo di prodotto: | MOSFET |
Tempo di aumento: | 68 NS |
800 | |
Sottocategoria: | MOSFETs |
Tipo del transistor: | 1 N-Manica |
Larghezza: | 9,25 millimetri |
Parte # pseudonimi: | IRFS3207ZTRRPBF SP001565050 |
Peso specifico: | 0,139332 once |
Applicazione
- Rettifica sincrona di alta efficienza in SMPS
- Gruppo di continuità
- Commutazione di potenza ad alta velocità
- Circuiti duro commutati ed ad alta frequenza
Benefici
- Portone migliore, valanga ed irregolarità dinamica di dv/dt
- Capacità completamente caratterizzata e valanga SOA
- Diodo migliorato dV/dt del corpo e capacità di dI/dt
- Senza piombo
- RoHS compiacente, senza alogeno
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AOD403 |
AOD407 | AOD409 | AOD413 | AOD417 | AOD4132 | AOD484 |
AOD4184L | AOD472 | AOD413A | AOD464 | AOD2916 | AOD4186 |
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