I semiconduttori alimentano il Manica STB24N60DM2 del transistor N del Mosfet
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Modello del prodotto:
STB24N60DM2
Pacchetto del fornitore:
TO-263-3
Descrizione sommaria:
MOSFET
Polarità del transistor:
Canale N
Campi di applicazione:
Cambio di applicazioni
Data di fabbricazione:
Entro un anno
Evidenziare:
Transistor del Mosfet di potere a semiconduttore
,Manica del transistor N del Mosfet di potere
,STB24N60DM2
Introduzione
Gamma di prodotti
- I semiconduttori STB24N60DM2 alimentano il transistor di effetto del giacimento dei transistor del Mosfet discreto N-Manica
- N-Manica 600 V, 0,13 tipi di Ω., 21 MOSFETs di un potere di MDmesh™ DM2 nel ² PAK di D, pacchetti TO-220 e TO-247
Caratteristiche del App
- Caratteristiche
- diodo del corpo di Rapido recupero
- Estremamente - tassa del portone e capacità basse dell'input
- Su resistenza bassa
- la valanga 100% ha provato
- Irregolarità estremamente alta di dv/dt
- Zener-protetto
- Descrizione
- Questo N-Manica ad alta tensione alimenta i MOSFETs fa parte della serie veloce del diodo di recupero di MDmesh™ DM2. Offrono la tassa molto bassa di recupero (Qrr) ed il tempo (trr) combinato con RDS basso (sopra), rendente li adatti per i convertitori più esigenti e l'ideale di alta efficienza per i convertitori di topologie del ponte e dello sfasamento di ZVS.
Dati di base
| Attributo di prodotto | Valore di attributo |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| Categoria di prodotto: | MOSFET |
| RoHS: | Dettagli |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| TO-263-3 | |
| N-Manica | |
| 1 Manica | |
| 600 V | |
| 18 A | |
| 200 mOhms | |
| - 25 V, + 25 V | |
| 4 V | |
| 29 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 150 W | |
| Potenziamento | |
| FDmesh | |
| Bobina | |
| Tagli il nastro | |
| Bobina | |
| Marca: | STMicroelectronics |
| Configurazione: | Singolo |
| Tempo di caduta: | 15 NS |
| Tipo di prodotto: | MOSFET |
| Tempo di aumento: | 8,7 NS |
| Serie: | STB24N60DM2 |
| 1000 | |
| Sottocategoria: | MOSFETs |
| Tempo di ritardo tipico di giro-Fuori: | 60 NS |
| Tempo di ritardo d'apertura tipico: | 15 NS |
| Peso specifico: | 0,139332 once |
SCHEDA DI DOWNLOAD
Applicazione
- Applicazioni di commutazione
- Motori di BLDC
- Motori sincroni a magnete permanente trifasi
- Invertitori
- Mezzi driver del ponte
- Sistemi di controllo robot
- Apparecchi
- Infrastruttura di griglia
- EPOS • Theate domestico
- Centrali elettriche distribuite
- Comunicazioni/infrastruttura della rete
Processo di ordine
| Aggiunga le parti alla forma di RFQ | Presenti il RFQ | Rispondiamo in 24 ore |
| Confermate l'ordine | Pagamento | Nave fuori il vostro ordine |
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