Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

BSM300D12P2E001 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

BSM300D12P2E001 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

BSM300D12P2E001 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array
BSM300D12P2E001 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Gambar besar :  BSM300D12P2E001 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

BSM300D12P2E001 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: BSM300D12P2E001 Pabrikan: Semikonduktor Rohm
Keterangan: MOSFET 2N-CH 1200V 300A kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array

Spesifikasi BSM300D12P2E001

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 N-Channel (Setengah Jembatan)
Fitur FET Standar
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 1200V (1.2kV)
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 300A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 68mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs -
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 35000pF @ 10V
Daya - Maks 1875W
Suhu Operasional -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Dudukan Chasis
Paket / Kasus Modul
Paket Perangkat Pemasok Modul
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan BSM300D12P2E001

Deteksi

BSM300D12P2E001 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 0BSM300D12P2E001 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 1BSM300D12P2E001 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 2BSM300D12P2E001 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)