Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

UM6J1NTN Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

UM6J1NTN Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

UM6J1NTN Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
UM6J1NTN Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  UM6J1NTN Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

UM6J1NTN Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: UM6J1NTN Pabrikan: Semikonduktor Rohm
Keterangan: MOSFET 2P-CH 30V 0,2A UMT6 kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array

Spesifikasi UM6J1NTN

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 P-Saluran (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 30V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 200mA
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 1,4 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs -
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 30pF @ 10V
Daya - Maks 150mW
Suhu Operasional 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket Perangkat Pemasok UMT6
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan UM6J1NTN

Deteksi

UM6J1NTN Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0UM6J1NTN Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1UM6J1NTN Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2UM6J1NTN Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)