Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

FDC6301N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

FDC6301N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

FDC6301N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
FDC6301N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  FDC6301N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

FDC6301N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: FDC6301N Pabrikan: Fairchild/ON Semikonduktor
Keterangan: MOSFET 2N-CH 25V 0,22A SSOT6 kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array

Spesifikasi FDC6301N

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 25V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 220mA
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 9,5pF @ 10V
Daya - Maks 700mW
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus SOT-23-6 Tipis, TSOT-23-6
Paket Perangkat Pemasok SuperSOT™-6
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan FDC6301N

Deteksi

FDC6301N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0FDC6301N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1FDC6301N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2FDC6301N Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)