Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

QS6J11TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

QS6J11TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

QS6J11TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
QS6J11TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  QS6J11TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

QS6J11TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: QS6J11TR Pabrikan: Semikonduktor Rohm
Keterangan: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array

Spesifikasi QS6J11TR

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 P-Saluran (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 12V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 2A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 770pF @ 6V
Daya - Maks 600mW
Suhu Operasional 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus SOT-23-6 Tipis, TSOT-23-6
Paket Perangkat Pemasok TSMT6 (SC-95)
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan QS6J11TR

Deteksi

QS6J11TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0QS6J11TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1QS6J11TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2QS6J11TR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)