SI5517DU-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array
Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
SI5517DU-T1-GE3
Pabrikan:
Vishay Siliconix
Keterangan:
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Seri:
TrenchFET®
Pengantar
Spesifikasi SI5517DU-T1-GE3
| Bagian Status | Aktif |
|---|---|
| Tipe FET | N dan P-Saluran |
| Fitur FET | Gerbang Tingkat Logika |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 20V |
| Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 6A |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 520pF @ 10V |
| Daya - Maks | 8.3W |
| Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Permukaan gunung |
| Paket / Kasus | PowerPAK® ChipFET™ Ganda |
| Paket Perangkat Pemasok | PowerPAK® ChipFet Ganda |
| Pengiriman | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Kondisi | Pabrik asli baru. |
Kemasan SI5517DU-T1-GE3
Deteksi
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable