SI4900DY-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array
Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
SI4900DY-T1-E3
Pabrikan:
Vishay Siliconix
Keterangan:
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Seri:
TrenchFET®
Pengantar
Spesifikasi SI4900DY-T1-E3
| Bagian Status | Aktif |
|---|---|
| Tipe FET | 2 Saluran-N (Ganda) |
| Fitur FET | Gerbang Tingkat Logika |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 60V |
| Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 5.3A |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 665pF @ 15V |
| Daya - Maks | 3.1W |
| Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Permukaan gunung |
| Paket / Kasus | 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm) |
| Paket Perangkat Pemasok | 8-SO |
| Pengiriman | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Kondisi | Pabrik asli baru. |
Kemasan SI4900DY-T1-E3
Deteksi
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable