Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

NTZD5110NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

NTZD5110NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

NTZD5110NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array
NTZD5110NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Gambar besar :  NTZD5110NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

NTZD5110NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: NTZD5110NT1G Pabrikan: PADA Semikonduktor
Keterangan: MOSFET 2N-CH 60V 0,294A SOT563 kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array

Spesifikasi NTZD5110NT1G

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 60V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 294mA
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 1,6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 24,5pF @ 20V
Daya - Maks 250mW
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus SOT-563, SOT-666
Paket Perangkat Pemasok SOT-563
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan NTZD5110NT1G

Deteksi

NTZD5110NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 0NTZD5110NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 1NTZD5110NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 2NTZD5110NT1G Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)