Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

DMG6601LVT-7 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

DMG6601LVT-7 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

DMG6601LVT-7 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
DMG6601LVT-7 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  DMG6601LVT-7 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

DMG6601LVT-7 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: DMG6601LVT-7 Pabrikan: Dioda Dimasukkan
Keterangan: MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array

Spesifikasi DMG6601LVT-7

Bagian Status Aktif
Tipe FET N dan P-Saluran
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 30V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 3,8A, 2,5A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 12.3nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 422pF @ 15V
Daya - Maks 850mW
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus SOT-23-6 Tipis, TSOT-23-6
Paket Perangkat Pemasok TSOT-26
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan DMG6601LVT-7

Deteksi

DMG6601LVT-7 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0DMG6601LVT-7 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1DMG6601LVT-7 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2DMG6601LVT-7 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)