Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

FDC6306P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

FDC6306P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

FDC6306P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
FDC6306P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  FDC6306P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

FDC6306P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: FDC6306P Pabrikan: Fairchild/ON Semikonduktor
Keterangan: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: PowerTrench®

Spesifikasi FDC6306P

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 P-Saluran (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 20V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 1.9A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 441pF @ 10V
Daya - Maks 700mW
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus SOT-23-6 Tipis, TSOT-23-6
Paket Perangkat Pemasok SuperSOT™-6
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan FDC6306P

Deteksi

FDC6306P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0FDC6306P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1FDC6306P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2FDC6306P Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)