Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

NTHD3100CT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

NTHD3100CT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

NTHD3100CT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
NTHD3100CT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  NTHD3100CT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

NTHD3100CT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: NTHD3100CT1G Pabrikan: PADA Semikonduktor
Keterangan: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array

Spesifikasi NTHD3100CT1G

Bagian Status Aktif
Tipe FET N dan P-Saluran
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 20V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 2.9A, 3.2A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 165pF @ 10V
Daya - Maks 1.1W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SMD, Timbal Datar
Paket Perangkat Pemasok ChipFET™
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan NTHD3100CT1G

Deteksi

NTHD3100CT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0NTHD3100CT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1NTHD3100CT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2NTHD3100CT1G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)