Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

NTMD4N03R2G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

NTMD4N03R2G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

NTMD4N03R2G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
NTMD4N03R2G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  NTMD4N03R2G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

NTMD4N03R2G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: NTMD4N03R2G Pabrikan: PADA Semikonduktor
Keterangan: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array

Spesifikasi NTMD4N03R2G

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 30V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 4A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 16nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 400pF @ 20V
Daya - Maks 2W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok 8-SOIC
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan NTMD4N03R2G

Deteksi

NTMD4N03R2G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0NTMD4N03R2G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1NTMD4N03R2G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2NTMD4N03R2G Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)