Mengirim pesan
Rumah > Produk > Transistor Efek Medan > SI4963BDY-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

SI4963BDY-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
SI4963BDY-T1-E3
Pabrikan:
Vishay Siliconix
Keterangan:
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Pengantar

Spesifikasi SI4963BDY-T1-E3

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 P-Saluran (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 20V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 4.9A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 21nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds -
Daya - Maks 1.1W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok 8-SO
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan SI4963BDY-T1-E3

Deteksi

SI4963BDY-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET ArraySI4963BDY-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET ArraySI4963BDY-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET ArraySI4963BDY-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable