Mengirim pesan
Rumah > Produk > Transistor Efek Medan > SI4559ADY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

SI4559ADY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
SI4559ADY-T1-GE3
Pabrikan:
Vishay Siliconix
Keterangan:
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Seri:
TrenchFET®
Pengantar

Spesifikasi SI4559ADY-T1-GE3

Bagian Status Aktif
Tipe FET N dan P-Saluran
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 60V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 5.3A, 3.9A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 58 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 20nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 665pF @ 15V
Daya - Maks 3,1W, 3,4W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok 8-SO
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan SI4559ADY-T1-GE3

Deteksi

SI4559ADY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET ArraySI4559ADY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET ArraySI4559ADY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET ArraySI4559ADY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable