SI4559ADY-T1-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array
Spesifikasi
Nomor Bagian:
SI4559ADY-T1-GE3
Pabrikan:
Vishay Siliconix
Keterangan:
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Seri:
TrenchFET®
Pengantar
Spesifikasi SI4559ADY-T1-GE3
Bagian Status | Aktif |
---|---|
Tipe FET | N dan P-Saluran |
Fitur FET | Gerbang Tingkat Logika |
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 60V |
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 5.3A, 3.9A |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 4.3A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 665pF @ 15V |
Daya - Maks | 3,1W, 3,4W |
Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipe Pemasangan | Permukaan gunung |
Paket / Kasus | 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm) |
Paket Perangkat Pemasok | 8-SO |
Pengiriman | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
Kondisi | Pabrik asli baru. |
Kemasan SI4559ADY-T1-GE3
Deteksi
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable