SI5504BDC-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array
Spesifikasi
Nomor Bagian:
SI5504BDC-T1-E3
Pabrikan:
Vishay Siliconix
Keterangan:
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Seri:
TrenchFET®
Pengantar
Spesifikasi SI5504BDC-T1-E3
Bagian Status | Aktif |
---|---|
Tipe FET | N dan P-Saluran |
Fitur FET | Gerbang Tingkat Logika |
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 30V |
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 4A, 3,7A |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 220pF @ 15V |
Daya - Maks | 3,12W, 3,1W |
Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipe Pemasangan | Permukaan gunung |
Paket / Kasus | 8-SMD, Timbal Datar |
Paket Perangkat Pemasok | 1206-8 ChipFET™ |
Pengiriman | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
Kondisi | Pabrik asli baru. |
Kemasan SI5504BDC-T1-E3
Deteksi
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable