Mengirim pesan
Rumah > Produk > Transistor Efek Medan > SI4946BEY-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

SI4946BEY-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
SI4946BEY-T1-E3
Pabrikan:
Vishay Siliconix
Keterangan:
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Seri:
TrenchFET®
Pengantar

Spesifikasi SI4946BEY-T1-E3

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 60V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 6.5A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 25nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 840pF @ 30V
Daya - Maks 3,7W
Suhu Operasional -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok 8-SO
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan SI4946BEY-T1-E3

Deteksi

SI4946BEY-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET ArraySI4946BEY-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET ArraySI4946BEY-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET ArraySI4946BEY-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable