SI4946BEY-T1-E3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array
Spesifikasi
Nomor Bagian:
SI4946BEY-T1-E3
Pabrikan:
Vishay Siliconix
Keterangan:
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Array
Seri:
TrenchFET®
Pengantar
Spesifikasi SI4946BEY-T1-E3
Bagian Status | Aktif |
---|---|
Tipe FET | 2 Saluran-N (Ganda) |
Fitur FET | Gerbang Tingkat Logika |
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 60V |
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 6.5A |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 5.3A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 840pF @ 30V |
Daya - Maks | 3,7W |
Suhu Operasional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipe Pemasangan | Permukaan gunung |
Paket / Kasus | 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm) |
Paket Perangkat Pemasok | 8-SO |
Pengiriman | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
Kondisi | Pabrik asli baru. |
Kemasan SI4946BEY-T1-E3
Deteksi
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable