Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

TPS1120DR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

TPS1120DR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

TPS1120DR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
TPS1120DR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  TPS1120DR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

TPS1120DR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: TPS1120DR Pabrikan: Instrumen Texas
Keterangan: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array

Spesifikasi TPS1120DR

Bagian Status Aktif
Tipe FET 2 P-Saluran (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 15V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 1.17A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 5.45nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds -
Daya - Maks 840mW
Suhu Operasional -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok 8-SOIC
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan TPS1120DR

Deteksi

TPS1120DR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0TPS1120DR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1TPS1120DR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2TPS1120DR Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)