Mengirim pesan
Rumah ProdukModul Daya IGBT

GT10J312(Q) Transistor Modul Daya IGBT IGBT Tunggal

I 'm Online Chat Now

GT10J312(Q) Transistor Modul Daya IGBT IGBT Tunggal

GT10J312(Q) Transistor Modul Daya IGBT IGBT Tunggal
GT10J312(Q) Transistor Modul Daya IGBT IGBT Tunggal

Gambar besar :  GT10J312(Q) Transistor Modul Daya IGBT IGBT Tunggal

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

GT10J312(Q) Transistor Modul Daya IGBT IGBT Tunggal

Deskripsi
Nomor Bagian: GT10J312(Q) Pabrikan: Semikonduktor dan Penyimpanan Toshiba
Keterangan: IGBT 600V 10A 60W TO220SM kategori: Transistor - IGBT - Tunggal
Keluarga: Transistor - IGBT - Tunggal

Spesifikasi GT10J312(Q).

Bagian Status Usang
Tipe IGBT -
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks) 600V
Arus - Kolektor (Ic) (Maks) 10A
Arus - Kolektor Berdenyut (Icm) 20A
Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Daya - Maks 60W
Beralih Energi -
Tipe masukan Standar
Biaya Gerbang -
Td (hidup/mati) @ 25°C 400ns/400ns
Tes kondisi 300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr) 200ns
Suhu Operasional 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus TO-252-3, DPak (2 Prospek + Tab), SC-63
Paket Perangkat Pemasok KE-220SM
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan GT10J312(Q).

Deteksi

GT10J312(Q) Transistor Modul Daya IGBT IGBT Tunggal 0GT10J312(Q) Transistor Modul Daya IGBT IGBT Tunggal 1GT10J312(Q) Transistor Modul Daya IGBT IGBT Tunggal 2GT10J312(Q) Transistor Modul Daya IGBT IGBT Tunggal 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)