Mengirim pesan
Rumah > Produk > Modul Daya IGBT > IKD06N60RAATMA1 Transistor Modul Daya IGBT IGBT Tunggal

IKD06N60RAATMA1 Transistor Modul Daya IGBT IGBT Tunggal

Kategori:
Modul Daya IGBT
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
IKD06N60RAATMA1
Pabrikan:
Teknologi Infineon
Keterangan:
IGBT 600V 12A 100W TO252
kategori:
Transistor - IGBT - Tunggal
Keluarga:
Transistor - IGBT - Tunggal
Seri:
TrenchStop™
Pengantar

Spesifikasi IKD06N60RAATMA1

Bagian Status Aktif
Tipe IGBT Pemberhentian Lapangan Parit
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks) 600V
Arus - Kolektor (Ic) (Maks) 12A
Arus - Kolektor Berdenyut (Icm) 18A
Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6A
Daya - Maks 100W
Beralih Energi 110μJ (aktif), 220μJ (mati)
Tipe masukan Standar
Biaya Gerbang 48nC
Td (hidup/mati) @ 25°C 12ns/127ns
Tes kondisi 400V, 6A, 23 Ohm, 15V
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr) 68ns
Suhu Operasional -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus TO-252-3, DPak (2 Prospek + Tab), SC-63
Paket Perangkat Pemasok PG-TO252-3
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan IKD06N60RAATMA1

Deteksi

IKD06N60RAATMA1 Transistor Modul Daya IGBT IGBT TunggalIKD06N60RAATMA1 Transistor Modul Daya IGBT IGBT TunggalIKD06N60RAATMA1 Transistor Modul Daya IGBT IGBT TunggalIKD06N60RAATMA1 Transistor Modul Daya IGBT IGBT Tunggal

Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable