Mengirim pesan
Rumah > Produk > Transistor Efek Medan > STB8NM60D Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

STB8NM60D Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
STB8NM60D
Pabrikan:
STMicroelectronics
Keterangan:
MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Seri:
MDmesh™
Pengantar

Spesifikasi STB8NM60D

Bagian Status Aktif
Tipe FET Saluran-N
Teknologi MOSFET (Oksida Logam)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 600V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 18nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 380pF @ 25V
Vg (Maks) -
Fitur FET -
Disipasi Daya (Maks) 100W (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 2.5A, 10V
Suhu Operasional -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket Perangkat Pemasok D2PAK
Paket / Kasus TO-263-3, D²Pak (2 Prospek + Tab), TO-263AB
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan STB8NM60D

Deteksi

STB8NM60D Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalSTB8NM60D Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalSTB8NM60D Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalSTB8NM60D Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable