Mengirim pesan
Rumah > Produk > Transistor Efek Medan > SCT3120ALGC11 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

SCT3120ALGC11 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
SCT3120ALGC11
Pabrikan:
Semikonduktor Rohm
Keterangan:
MOSFET NCH 650V 21A TO247N
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Pengantar

Spesifikasi SCT3120ALGC11

Bagian Status Aktif
Tipe FET Saluran-N
Teknologi SiCFET (Silikon Karbida)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 650V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 3.33mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 38nC @ 18V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 460pF @ 500V
Vg (Maks) +22V, -4V
Fitur FET -
Disipasi Daya (Maks) 103W (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 6.7A, 18V
Suhu Operasional 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan Melalui Lubang
Paket Perangkat Pemasok KE-247N
Paket / Kasus KE-247-3
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan SCT3120ALGC11

Deteksi

SCT3120ALGC11 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalSCT3120ALGC11 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalSCT3120ALGC11 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalSCT3120ALGC11 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable