Mengirim pesan
Rumah > Produk > Transistor Efek Medan > IPI65R099C6XKSA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

IPI65R099C6XKSA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
IPI65R099C6XKSA1
Pabrikan:
Teknologi Infineon
Keterangan:
MOSFET N-CH 650V 38A KE-262
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Seri:
CoolMOS™
Pengantar

Spesifikasi IPI65R099C6XKSA1

Bagian Status Aktif
Tipe FET Saluran-N
Teknologi MOSFET (Oksida Logam)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 650V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 38A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 127nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 2780pF @ 100V
Vg (Maks) ±20V
Fitur FET -
Disipasi Daya (Maks) 278W (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 12.8A, 10V
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Melalui Lubang
Paket Perangkat Pemasok PG-TO262-3-1
Paket / Kasus TO-262-3 Prospek Panjang, I²Pak, TO-262AA
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan IPI65R099C6XKSA1

Deteksi

IPI65R099C6XKSA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalIPI65R099C6XKSA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalIPI65R099C6XKSA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalIPI65R099C6XKSA1 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable