SIHG30N60E-GE3 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal
Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
SIHG30N60E-GE3
Pabrikan:
Vishay Siliconix
Keterangan:
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Pengantar
Spesifikasi SIHG30N60E-GE3
| Bagian Status | Aktif |
|---|---|
| Tipe FET | Saluran-N |
| Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 600V |
| Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 2600pF @ 100V |
| Vg (Maks) | - |
| Fitur FET | - |
| Disipasi Daya (Maks) | 250W (Tc) |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 15A, 10V |
| Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Melalui Lubang |
| Paket Perangkat Pemasok | KE-247AC |
| Paket / Kasus | KE-247-3 |
| Pengiriman | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Kondisi | Pabrik asli baru. |
Kemasan SIHG30N60E-GE3
Deteksi
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable