Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

A2T23H300-24SR6 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Chip RF

I 'm Online Chat Now

A2T23H300-24SR6 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Chip RF

A2T23H300-24SR6 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Chip RF
A2T23H300-24SR6 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Chip RF

Gambar besar :  A2T23H300-24SR6 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Chip RF

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

A2T23H300-24SR6 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Chip RF

Deskripsi
Nomor Bagian: A2T23H300-24SR6 Pabrikan: NXP USA Inc.
Keterangan: IC TRANS RF LDMOS kategori: Transistor - FET, MOSFET - RF
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - RF

Spesifikasi A2T23H300-24SR6

Bagian Status Aktif
Tipe Transistor LDMOS (Ganda)
Frekuensi 2.3GHz
Memperoleh 14,9dB
Tegangan - Tes 28V
Peringkat Saat Ini -
Angka Kebisingan -
Saat ini - Tes 750mA
Daya - Keluaran 66W
Tegangan - Nilai 65V
Paket / Kasus NI-1230-4LS2L
Paket Perangkat Pemasok NI-1230-4LS2L
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan A2T23H300-24SR6

Deteksi

A2T23H300-24SR6 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Chip RF 0A2T23H300-24SR6 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Chip RF 1A2T23H300-24SR6 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Chip RF 2A2T23H300-24SR6 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Chip RF 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)