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STB14NM65N फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs सिंगल

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STB14NM65N फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs सिंगल

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बड़ी छवि :  STB14NM65N फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs सिंगल

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: मूल
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: बातचीत योग्य
मूल्य: Negotiable
प्रसव के समय: बातचीत योग्य
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
आपूर्ति की क्षमता: 100000

STB14NM65N फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs सिंगल

वर्णन
भाग संख्या: एसटीबी14एनएम65एन उत्पादक: STMicroelectronics
विवरण: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK वर्ग: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल
परिवार: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल शृंखला: एमडीएमश ™ II

STB14NM65N निर्दिष्टीकरण

भाग की स्थिति अप्रचलित
एफईटी प्रकार n- चैनल
तकनीकी MOSFET (धातु ऑक्साइड)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) 650 वी
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C 12ए (टीसी)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू) -
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी 4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 45एनसी @ 10 वी
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds 1300pF @ 50V
वीजीएस (अधिकतम) -
एफईटी सुविधा -
बिजली अपव्यय (अधिकतम) 125W (टीसी)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस 380 एमओएचएम @ 6ए, 10वी
परिचालन तापमान 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
माउन्टिंग का प्रकार माउंट सतह
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज D2PAK
पैकेज / मामला TO-263-3, D²Pak (2 लीड + टैब), TO-263AB
लदान यूपीएस/ईएमएस/डीएचएल/FedEx एक्सप्रेस।
हालत नया मूल कारखाना।

STB14NM65N पैकेजिंग

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