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BLF6G13LS-250P,112 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

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BLF6G13LS-250P,112 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

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बड़ी छवि :  BLF6G13LS-250P,112 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: मूल
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: बातचीत योग्य
मूल्य: Negotiable
प्रसव के समय: बातचीत योग्य
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
आपूर्ति की क्षमता: 100000

BLF6G13LS-250P,112 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

वर्णन
भाग संख्या: BLF6G13LS-250P,112 उत्पादक: एम्पलॉन यूएसए इंक।
विवरण: आरएफ एफईटी एलडीएमओएस 100V 17DB SOT1121B वर्ग: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - RF
परिवार: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - RF

BLF6G13LS-250P,112 निर्दिष्टीकरण

भाग की स्थिति सक्रिय
ट्रांजिस्टर प्रकार एलडीएमओएस
आवृत्ति 1.3GHz
पाना 17 डीबी
वोल्टेज - टेस्ट 50 वी
वर्तमान रेटिंग -
शोर का आंकड़ा -
वर्तमान - परीक्षण 100mA
पावर आउटपुट 250 डब्ल्यू
वोल्टेज - रेटेड 100 वी
पैकेज / मामला एसओटी-1121बी
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज सीडीएफएम4
लदान यूपीएस/ईएमएस/डीएचएल/FedEx एक्सप्रेस।
हालत नया मूल कारखाना।

BLF6G13LS-250P,112 पैकेजिंग

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सम्पर्क करने का विवरण
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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