Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

Si5517du-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων σειρές

Είμαι Online Chat Now

Si5517du-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων σειρές

Si5517du-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων σειρές
Si5517du-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων σειρές

Μεγάλες Εικόνας :  Si5517du-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων σειρές

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

Si5517du-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων σειρές

περιγραφή
Αριθμός μερών: Si5517du-T1-GE3 Κατασκευαστής: Vishay Siliconix
Περιγραφή: MOSFET n/p-CH 20V 6A CHIPFET Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - σειρές
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - σειρές Σειρά: TrenchFET®

Si5517du-T1-GE3 προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος FET Ν και P-Channel
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET Πύλη επιπέδων λογικής
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 20V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 6A
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 1V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V
Δύναμη - Max 8.3W
Λειτουργούσα θερμοκρασία -55°C ~ 150°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Η επιφάνεια τοποθετεί
Συσκευασία/περίπτωση PowerPAK® ChipFET™ διπλό
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών PowerPAK® ChipFet διπλό
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

Si5517du-T1-GE3 συσκευασία

Ανίχνευση

Si5517du-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων σειρές 0Si5517du-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων σειρές 1Si5517du-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων σειρές 2Si5517du-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων σειρές 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα