Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

Dmn66d0lw-7 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Είμαι Online Chat Now

Dmn66d0lw-7 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Dmn66d0lw-7 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
Dmn66d0lw-7 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Μεγάλες Εικόνας :  Dmn66d0lw-7 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

Dmn66d0lw-7 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

περιγραφή
Αριθμός μερών: Dmn66d0lw-7 Κατασκευαστής: Δίοδοι που ενσωματώνονται
Περιγραφή: MOSFET ν-CH 60V 0.115A SOT323 Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία

Dmn66d0lw-7 προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος FET N-Channel
Τεχνολογία MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 60V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 115mA (TA)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) 5V, 10V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 2V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs -
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET -
Διασκεδασμός δύναμης (Max) 200mW (TA)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 6 ωμ @ 115mA, 5V
Λειτουργούσα θερμοκρασία -55°C ~ 150°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Η επιφάνεια τοποθετεί
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών Μέθυσος-323
Συσκευασία/περίπτωση SC-70, ΜΈΘΥΣΟΣ-323
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

Dmn66d0lw-7 συσκευασία

Ανίχνευση

Dmn66d0lw-7 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 0Dmn66d0lw-7 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 1Dmn66d0lw-7 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 2Dmn66d0lw-7 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα