|
Λεπτομέρειες:
|
| Αριθμός μερών: | RQ3E100BNTB | Κατασκευαστής: | Ημιαγωγός Rohm |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή: | MOSFET ν-CH 30V 10A HSMT8 | Κατηγορία: | Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία |
| Οικογένεια: | Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία |
| Θέση μερών | Ενεργός |
|---|---|
| Τύπος FET | N-Channel |
| Τεχνολογία | MOSFET (μεταλλικό οξείδιο) |
| Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) | 30V |
| Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C | 10A (TA) |
| Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) | 4.5V, 10V |
| Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ | 2.5V @ 1mA |
| Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET | - |
| Διασκεδασμός δύναμης (Max) | 2W (TA) |
| RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs | 10.4 mOhm @ 10A, 10V |
| Λειτουργούσα θερμοκρασία | 150°C (TJ) |
| Τοποθετώντας τύπος | Η επιφάνεια τοποθετεί |
| Συσκευασία συσκευών προμηθευτών | 8-HSMT (3.2x3) |
| Συσκευασία/περίπτωση | 8-PowerVDFN |
| Αποστολή | UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής. |
| Όρος | Νέο αρχικό εργοστάσιο. |
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek
Τηλ.:: +8615017926135
