Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

Si1443edh-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Είμαι Online Chat Now

Si1443edh-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Si1443edh-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
Si1443edh-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Μεγάλες Εικόνας :  Si1443edh-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

Si1443edh-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

περιγραφή
Αριθμός μερών: Si1443edh-T1-GE3 Κατασκευαστής: Vishay Siliconix
Περιγραφή: MOSFET π-CH 30V 4A μέθυσος-363 Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία Σειρά: TrenchFET®

Si1443edh-T1-GE3 προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος FET P-Channel
Τεχνολογία MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 30V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 4A (TC)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) 10V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 1.5V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±12V
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET -
Διασκεδασμός δύναμης (Max) 1.6W (TA), 2.8W (TC)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 54 mOhm @ 4.3A, 10V
Λειτουργούσα θερμοκρασία -55°C ~ 150°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Η επιφάνεια τοποθετεί
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών Μέθυσος-363
Συσκευασία/περίπτωση 6-TSSOP, SC-88, ΜΈΘΥΣΟΣ-363
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

Si1443edh-T1-GE3 συσκευασία

Ανίχνευση

Si1443edh-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 0Si1443edh-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 1Si1443edh-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 2Si1443edh-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα