|
Λεπτομέρειες:
|
| Αριθμός μερών: | Si2372ds-T1-GE3 | Κατασκευαστής: | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή: | MOSFET Ν-CHAN 30V SOT23 | Κατηγορία: | Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία |
| Οικογένεια: | Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία | Σειρά: | TrenchFET® |
| Θέση μερών | Ενεργός |
|---|---|
| Τύπος FET | N-Channel |
| Τεχνολογία | MOSFET (μεταλλικό οξείδιο) |
| Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) | 30V |
| Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C | 4A (TA), 5.3A (TC) |
| Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) | 4.5V, 10V |
| Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ | 2.5V @ 250µA |
| Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 10V |
| Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds | 288pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET | - |
| Διασκεδασμός δύναμης (Max) | 960mW (TA), 1.7W (TC) |
| RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs | 33 mOhm @ 3A, 10V |
| Λειτουργούσα θερμοκρασία | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τοποθετώντας τύπος | Η επιφάνεια τοποθετεί |
| Συσκευασία συσκευών προμηθευτών | ΜΈΘΥΣΟΣ-23-3 (-236) |
| Συσκευασία/περίπτωση | -236-3, SC-59, ΜΈΘΥΣΟΣ-23-3 |
| Αποστολή | UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής. |
| Όρος | Νέο αρχικό εργοστάσιο. |
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek
Τηλ.:: +8615017926135
