|
Λεπτομέρειες:
|
| Αριθμός μερών: | SIHD12N50E-GE3 | Κατασκευαστής: | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή: | MOSFET Ν-CHAN 500V DPAK | Κατηγορία: | Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία |
| Οικογένεια: | Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία | Σειρά: | μι |
| Θέση μερών | Ενεργός |
|---|---|
| Τύπος FET | N-Channel |
| Τεχνολογία | MOSFET (μεταλλικό οξείδιο) |
| Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) | 550V |
| Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C | 10.5A (TC) |
| Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) | 10V |
| Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ | 4V @ 250µA |
| Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds | 886pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET | - |
| Διασκεδασμός δύναμης (Max) | 114W (TC) |
| RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Λειτουργούσα θερμοκρασία | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Τοποθετώντας τύπος | Η επιφάνεια τοποθετεί |
| Συσκευασία συσκευών προμηθευτών | Δ-PAK (-252AA) |
| Συσκευασία/περίπτωση | -252-3, DPak (2 μόλυβδοι + ετικέττα), Sc-63 |
| Αποστολή | UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής. |
| Όρος | Νέο αρχικό εργοστάσιο. |
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek
Τηλ.:: +8615017926135
