Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

STU4N52K3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Είμαι Online Chat Now

STU4N52K3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

STU4N52K3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
STU4N52K3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Μεγάλες Εικόνας :  STU4N52K3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

STU4N52K3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

περιγραφή
Αριθμός μερών: STU4N52K3 Κατασκευαστής: STMicroelectronics
Περιγραφή: MOSFET ν-CH 525V 2.5A IPAK Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία Σειρά: SuperMESH3™

STU4N52K3 προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος FET N-Channel
Τεχνολογία MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 525V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 2.5A (TC)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) 10V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 4.5V @ 50µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds 334pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET -
Διασκεδασμός δύναμης (Max) 45W (TC)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 2,6 ωμ @ 1.25A, 10V
Λειτουργούσα θερμοκρασία 150°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Μέσω της τρύπας
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών Ι-Pak
Συσκευασία/περίπτωση -251-3 σύντομοι μόλυβδοι, IPak, -251AA
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

STU4N52K3 συσκευασία

Ανίχνευση

STU4N52K3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 0STU4N52K3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 1STU4N52K3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 2STU4N52K3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα