|
Λεπτομέρειες:
|
| Αριθμός μερών: | SQ4850EY-T1_GE3 | Κατασκευαστής: | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή: | MOSFET ν-CH 60V 12A 8SOIC | Κατηγορία: | Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία |
| Οικογένεια: | Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία | Σειρά: | Αυτοκίνητος, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Θέση μερών | Ενεργός |
|---|---|
| Τύπος FET | N-Channel |
| Τεχνολογία | MOSFET (μεταλλικό οξείδιο) |
| Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) | 60V |
| Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C | 12A (TC) |
| Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) | 4.5V, 10V |
| Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ | 2.5V @ 250µA |
| Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds | 1250pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET | - |
| Διασκεδασμός δύναμης (Max) | 6.8W (TC) |
| RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs | 22 mOhm @ 6A, 5V |
| Λειτουργούσα θερμοκρασία | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Τοποθετώντας τύπος | Η επιφάνεια τοποθετεί |
| Συσκευασία συσκευών προμηθευτών | 8-ΕΤΣΙ |
| Συσκευασία/περίπτωση | 8-SOIC (πλάτος 0,154», 3.90mm) |
| Αποστολή | UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής. |
| Όρος | Νέο αρχικό εργοστάσιο. |
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek
Τηλ.:: +8615017926135
