Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

STB20NM50T4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Είμαι Online Chat Now

STB20NM50T4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

STB20NM50T4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
STB20NM50T4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Μεγάλες Εικόνας :  STB20NM50T4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

STB20NM50T4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

περιγραφή
Αριθμός μερών: STB20NM50T4 Κατασκευαστής: STMicroelectronics
Περιγραφή: MOSFET ν-CH 550V 20A D2PAK Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία Σειρά: MDmesh™

STB20NM50T4 προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος FET N-Channel
Τεχνολογία MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 550V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 20A (TC)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) -
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 5V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds 1480pF @ 25V
Vgs (Max) -
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET -
Διασκεδασμός δύναμης (Max) 192W (TC)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 250 mOhm @ 10A, 10V
Λειτουργούσα θερμοκρασία -65°C ~ 150°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Η επιφάνεια τοποθετεί
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών D2PAK
Συσκευασία/περίπτωση -263-3, Δ ² Pak (2 μόλυβδοι + ετικέττα), -263AB
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

STB20NM50T4 συσκευασία

Ανίχνευση

STB20NM50T4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 0STB20NM50T4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 1STB20NM50T4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 2STB20NM50T4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα