Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

Stb80nf55l-08-1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Είμαι Online Chat Now

Stb80nf55l-08-1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Stb80nf55l-08-1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
Stb80nf55l-08-1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Μεγάλες Εικόνας :  Stb80nf55l-08-1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

Stb80nf55l-08-1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

περιγραφή
Αριθμός μερών: Stb80nf55l-08-1 Κατασκευαστής: STMicroelectronics
Περιγραφή: MOSFET ν-CH 55V 80A I2PAK Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία Σειρά: STripFET™ ΙΙ

Stb80nf55l-08-1 προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος FET N-Channel
Τεχνολογία MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 55V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 80A (TC)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) 5V, 10V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 2.5V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 4.5V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds 4350pF @ 25V
Vgs (Max) ±16V
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET -
Διασκεδασμός δύναμης (Max) 300W (TC)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 8 mOhm @ 40A, 10V
Λειτουργούσα θερμοκρασία 175°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Μέσω της τρύπας
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών I2PAK
Συσκευασία/περίπτωση -262-3 μακροχρόνιοι μόλυβδοι, Ι ² Pak, -262AA
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

Stb80nf55l-08-1 συσκευασία

Ανίχνευση

Stb80nf55l-08-1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 0Stb80nf55l-08-1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 1Stb80nf55l-08-1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 2Stb80nf55l-08-1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα