STW18NM60N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
Κατηγορία:
Τρανζίστορ εφέ πεδίου
Τιμή:
Negotiable
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Προδιαγραφές
Περιγραφή:
MOSFET ν-CH 600V 13A -247
Αριθμός μερών:
STW18NM60N
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
Κατηγορία:
Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια:
Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Σειρά:
MDmesh™ ΙΙ
Εισαγωγή
STW18NM60N προδιαγραφές
| Θέση μερών | Ενεργός |
|---|---|
| Τύπος FET | N-Channel |
| Τεχνολογία | MOSFET (μεταλλικό οξείδιο) |
| Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) | 600V |
| Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C | 13A (TC) |
| Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) | 10V |
| Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ | 4V @ 250µA |
| Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET | - |
| Διασκεδασμός δύναμης (Max) | 110W (TC) |
| RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs | 285 mOhm @ 6.5A, 10V |
| Λειτουργούσα θερμοκρασία | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τοποθετώντας τύπος | Μέσω της τρύπας |
| Συσκευασία συσκευών προμηθευτών | -247-3 |
| Συσκευασία/περίπτωση | -247-3 |
| Αποστολή | UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής. |
| Όρος | Νέο αρχικό εργοστάσιο. |
STW18NM60N συσκευασία
Ανίχνευση
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο:
Negotiable