BSR315PH6327XTSA1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
Κατηγορία:
Τρανζίστορ εφέ πεδίου
Τιμή:
Negotiable
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Προδιαγραφές
Περιγραφή:
MOSFET Π-CH 60V 620MA SC-59-3
Αριθμός μερών:
BSR315PH6327XTSA1
Κατασκευαστής:
Τεχνολογίες Infineon
Κατηγορία:
Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια:
Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Σειρά:
SIPMOS®
Εισαγωγή
BSR315PH6327XTSA1 προδιαγραφές
| Θέση μερών | Ενεργός |
|---|---|
| Τύπος FET | P-Channel |
| Τεχνολογία | MOSFET (μεταλλικό οξείδιο) |
| Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) | 60V |
| Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C | 620mA (TA) |
| Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) | - |
| Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ | 2V @ 160µA |
| Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds | 176pF @ 25V |
| Vgs (Max) | - |
| Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET | - |
| Διασκεδασμός δύναμης (Max) | 500mW (TA) |
| RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs | 800 mOhm @ 620mA, 10V |
| Λειτουργούσα θερμοκρασία | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τοποθετώντας τύπος | Η επιφάνεια τοποθετεί |
| Συσκευασία συσκευών προμηθευτών | PG-Sc-59 |
| Συσκευασία/περίπτωση | -236-3, SC-59, ΜΈΘΥΣΟΣ-23-3 |
| Αποστολή | UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής. |
| Όρος | Νέο αρχικό εργοστάσιο. |
BSR315PH6327XTSA1 συσκευασία
Ανίχνευση
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο:
Negotiable