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BR25G128NUX-3TR Gedächtnis IC-Chip

Kategorie:
Speicher-IC-Chip
Spezifikationen
Teilnummer:
BR25G128NUX-3TR
Hersteller:
Rohm-Halbleiter
Beschreibung:
IC EEPROM 128KBIT 20MHZ 8VSON
Kategorie:
Gedächtnis
Familie:
Gedächtnis
Einleitung

BR25G128NUX-3TR Spezifikationen

Teil-Status Aktiv
Gedächtnis-Format EEPROM
Gedächtnis-Art Permanent
Speicherkapazität 128Kb (16K x 8)
Geschwindigkeit 20MHz
Schnittstelle SPI-Serie
Spannung - Versorgung 1,6 V | 5,5 V
Betriebstemperatur -40°C | 85°C (TA)
Paket/Fall 8-UFDFN stellte Auflage heraus
Lieferanten-Gerät-Paket VSON008X2030
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

BR25G128NUX-3TR Verpacken

Entdeckung

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