Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs-Reihen des Feld-SI5908DC-T1-GE3
Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
verhandelbar
Zahlungs-Methode:
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Spezifikationen
Teilnummer:
SI5908DC-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Reihe:
TrenchFET®
Einleitung
Spezifikationen SI5908DC-T1-GE3
| Teil-Status | Aktiv |
|---|---|
| Fet-Art | N-Kanal 2 (Doppel) |
| Fet-Eigenschaft | Tor des logischen Zustandes |
| Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 20V |
| Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 4.4A |
| RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 1V @ 250µA |
| Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | - |
| Macht- maximales | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
| Befestigung der Art | Oberflächenberg |
| Paket/Fall | 8-SMD, flache Führung |
| Lieferanten-Gerät-Paket | ChipFET™ 1206-8 |
| Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
| Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
Verpacken SI5908DC-T1-GE3
Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable