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NTZD5110NT1G-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs-Reihen

Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
NTZD5110NT1G
Hersteller:
AUF Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Einleitung

NTZD5110NT1G-Spezifikationen

Teil-Status Aktiv
Fet-Art N-Kanal 2 (Doppel)
Fet-Eigenschaft Tor des logischen Zustandes
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 60V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 294mA
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 1,6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 2.5V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 24.5pF @ 20V
Macht- maximales 250mW
Betriebstemperatur -55°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art Oberflächenberg
Paket/Fall SOT-563, SOT-666
Lieferanten-Gerät-Paket SOT-563
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

NTZD5110NT1G Verpacken

Entdeckung

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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable