NTZD5110NT1G-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs-Reihen
Spezifikationen
Teilnummer:
NTZD5110NT1G
Hersteller:
AUF Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Einleitung
NTZD5110NT1G-Spezifikationen
Teil-Status | Aktiv |
---|---|
Fet-Art | N-Kanal 2 (Doppel) |
Fet-Eigenschaft | Tor des logischen Zustandes |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 60V |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 294mA |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 1,6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 2.5V @ 250µA |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 24.5pF @ 20V |
Macht- maximales | 250mW |
Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Paket/Fall | SOT-563, SOT-666 |
Lieferanten-Gerät-Paket | SOT-563 |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable