NTGD4167CT1G-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs-Reihen
Spezifikationen
Teilnummer:
NTGD4167CT1G
Hersteller:
AUF Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Einleitung
NTGD4167CT1G-Spezifikationen
Teil-Status | Aktiv |
---|---|
Fet-Art | N und P-Kanal |
Fet-Eigenschaft | Tor des logischen Zustandes |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 30V |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 2.6A, 1.9A |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 1.5V @ 250µA |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 295pF @ 15V |
Macht- maximales | 900mW |
Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Paket/Fall | SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 |
Lieferanten-Gerät-Paket | 6-TSOP |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable