Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs-Reihen des Feld-DMN2005DLP4K-7
Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
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Spezifikationen
Teilnummer:
DMN2005DLP4K-7
Hersteller:
Dioden enthalten
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Einleitung
Spezifikationen DMN2005DLP4K-7
| Teil-Status | Aktiv |
|---|---|
| Fet-Art | N-Kanal 2 (Doppel) |
| Fet-Eigenschaft | Standard |
| Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 20V |
| Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 300mA |
| RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 1,5 Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 900mV @ 100µA |
| Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | - |
| Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | - |
| Macht- maximales | 400mW |
| Betriebstemperatur | -65°C | 150°C (TJ) |
| Befestigung der Art | Oberflächenberg |
| Paket/Fall | 6-SMD, keine Führung |
| Lieferanten-Gerät-Paket | X2-DFN1310-6 |
| Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
| Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
Verpacken DMN2005DLP4K-7
Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable