Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs-Reihen des Feld-SI5504BDC-T1-E3
Spezifikationen
Teilnummer:
SI5504BDC-T1-E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Reihe:
TrenchFET®
Einleitung
Spezifikationen SI5504BDC-T1-E3
Teil-Status | Aktiv |
---|---|
Fet-Art | N und P-Kanal |
Fet-Eigenschaft | Tor des logischen Zustandes |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 30V |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 4A, 3.7A |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 3V @ 250µA |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 220pF @ 15V |
Macht- maximales | 3.12W, 3.1W |
Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Paket/Fall | 8-SMD, flache Führung |
Lieferanten-Gerät-Paket | ChipFET™ 1206-8 |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
Verpacken SI5504BDC-T1-E3
Entdeckung
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable