RJH60D7BDPQ-E0#T2 IGBT Energie-Modul-Transistoren IGBTs einzeln
Spezifikationen
Teilnummer:
RJH60D7BDPQ-E0#T2
Hersteller:
Renesas-Elektronik Amerika
Beschreibung:
IGBT 600V 90A 300W TO-247
Kategorie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Familie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Einleitung
Spezifikationen RJH60D7BDPQ-E0#T2
Teil-Status | Aktiv |
---|---|
IGBT-Art | Graben |
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) | 600V |
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) | 90A |
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) | - |
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC | 2.2V @ 15V, 50A |
Macht- maximales | 300W |
Zugeschaltete Energie | 700µJ (an), 1.4mJ (weg) |
Eingegebene Art | Standard |
Tor-Gebühr | 125nC |
TD (AN/AUS) @ 25°C | 60ns/180ns |
Testbedingung | 300V, 50A, 5 Ohm, 15V |
Rückgenesungszeit (trr) | 25ns |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigung der Art | Durch Loch |
Paket/Fall | TO-247-3 |
Lieferanten-Gerät-Paket | TO-247 |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
Verpacken RJH60D7BDPQ-E0#T2
Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable