Nachricht senden
Zu Hause > produits > IGBT-Leistungsmodul > RJP60V0DPM-00#T1 IGBT Energie-Modul-Transistoren IGBTs einzeln

RJP60V0DPM-00#T1 IGBT Energie-Modul-Transistoren IGBTs einzeln

Kategorie:
IGBT-Leistungsmodul
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
RJP60V0DPM-00#T1
Hersteller:
Renesas-Elektronik Amerika
Beschreibung:
IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
Kategorie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Familie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Einleitung

Spezifikationen RJP60V0DPM-00#T1

Teil-Status Aktiv
IGBT-Art Graben
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) 600V
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) 45A
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) -
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC 2.1V @ 15V, 22A
Macht- maximales 40W
Zugeschaltete Energie -
Eingegebene Art Standard
Tor-Gebühr 75nC
TD (AN/AUS) @ 25°C 45ns/100ns
Testbedingung 300V, 22A, 5 Ohm, 15V
Rückgenesungszeit (trr) -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigung der Art Durch Loch
Paket/Fall TO-3PFM, SC-93-3
Lieferanten-Gerät-Paket TO-3PFM
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

Verpacken RJP60V0DPM-00#T1

Entdeckung

RJP60V0DPM-00#T1 IGBT Energie-Modul-Transistoren IGBTs einzelnRJP60V0DPM-00#T1 IGBT Energie-Modul-Transistoren IGBTs einzelnRJP60V0DPM-00#T1 IGBT Energie-Modul-Transistoren IGBTs einzelnRJP60V0DPM-00#T1 IGBT Energie-Modul-Transistoren IGBTs einzeln

Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable