Energie-Modul-Transistoren IGBTs FGA25N120FTD IGBT einzeln
Kategorie:
IGBT-Leistungsmodul
Preis:
verhandelbar
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
FGA25N120FTD
Hersteller:
Fairchild-/ONhalbleiter
Beschreibung:
IGBT 1200V 50A 313W TO3P
Kategorie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Familie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Einleitung
FGA25N120FTD-Spezifikationen
| Teil-Status | Veraltet |
|---|---|
| IGBT-Art | Graben-Feld-Halt |
| Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) | 1200V |
| Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) | 50A |
| Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) | 75A |
| Vce (an) (maximal) @ Vge, IC | 2V @ 15V, 25A |
| Macht- maximales | 313W |
| Zugeschaltete Energie | 340µJ (an), 900µJ (weg) |
| Eingegebene Art | Standard |
| Tor-Gebühr | 160nC |
| TD (AN/AUS) @ 25°C | 48ns/210ns |
| Testbedingung | 600V, 25A, 15 Ohm, 15V |
| Rückgenesungszeit (trr) | 770ns |
| Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
| Befestigung der Art | Durch Loch |
| Paket/Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferanten-Gerät-Paket | TO-3PN |
| Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
| Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable